Flashnote — быстрый менеджер заметок
Как часто при работе за компьютером вам приходится что-то куда-то записывать на короткое время?
Может быть, вы говорите по телефону и вам надо записать номер, но до телефоной книжки далеко, может быть вам надо сохранить урл, чтобы воспользоваться им через несколько минут, написать небольшой список дел, или просто скопировать 2 куска текста, может быть еще что-то подобное. Примеров можно привести множество. Что вы делаете в таких случаях? Кто-то открывает Notepad, кто-то пользуется персональными информационными менеджерами, кто-то другими программами, предназначенными для хранения или обработки текстов. Но у всех этих вариантов есть один недостаток — скорость. Допустим, вы используете PIM — как правило, это программы тяжелого класса, к тому же прежде, чем воспользоваться им как черновиком — вам надо сначала найти место где можно безболезненно писать, не боясь «намусорить» или повредить важные записи.
Решение
Flashnote создана как раз для таких случаев, когда вам нужен просто черновик для сохранения или обработки кусков текста. Flashnote — маленькая, быстрая и удобная. Достаточно просто нажать горячую клавишу и через долю секунды перед вами будет быстрый менеджер заметок. Закончили — нажимаете ESC, и программа прячется. Все просто. Теперь вам не надо ломать голову, где бы написать кусок текста, запускать notepad или открывать ваш любимый PIM. Все намного быстрее, проще и удобнее.
Flashnote — не заменитель блокнота или другого текстового редактора. Flashnote — быстрый и легкий менеджер заметок. Попробуйте, и мы надеемся, что вы приобретете верного помощника для вашей работы за компьютером.
Источник
Flashnote для Windows
| Оценка: |
4.34 /5 голосов — 12 |
| Лицензия: | Бесплатная |
| Версия: | 4.8 | Сообщить о новой версии |
| Обновлено: | 10.09.2017 |
| ОС: | Windows 10, 8.1, 8, 7, XP |
| Интерфейс: | Английский, Русский |
| Разработчик: | Softvoile |
| Категории: | Редакторы — Календари, органайзеры, напоминалки — другое |
| Загрузок (сегодня/всего): | 0 / 7 737 | Статистика |
| Размер: | 2,8 Мб |
| СКАЧАТЬ | |
Flashnote — быстрый и легкий менеджер заметок. Необходим, когда нужно быстро записать какие-либо данные, сохранить урл, накидать список дел. Можно использовать в качестве черновика для сохранения или обработки кусков текста.
Поддерживает горячие клавиши и резервное копирование.
Adobe Reader — популярнейшее приложение для работы с PDF-документами. Позволяет проводить все.
Бесплатная программа для просмотра и редактирования всех форматов текстовых документов.
PDF-XChange Viewer — небольшая и полнофункциональная программа для просмотра файлов в формате PDF. .
Sublime Text — многофункциональный текстовый редактор с широким набором удобных инструментов для выделения, маркировки и обработки текстовых фрагментов кода.
LibreOffice — мощный пакет офисных приложений, включающий в себя все самые необходимые.
OpenOffice.org — Бесплатная альтернатива пакету офисных приложений Microsoft Office. В состав пакета.
Отзывы о программе Flashnote
Alex про Flashnote 4.8 [17-04-2020]
Ctrl C- Alt s-Ctrl V и все! Просто, надежно, настраиваемо! для тех кто ценит порядок.три года как забыл о записях на листиках.
| | Ответить
Олег про Flashnote 4.8 [10-09-2018]
Очень удобный менеджер заметок. Только плохо что нет возможности делать гиперссылки в тексте заметок.
2 | 2 | Ответить
Vlimiik про Flashnote 4.8 [23-09-2017]
Отсутствует возможность вставлять объекты.
2 | 2 | Ответить
алёша про Flashnote 4.7 [25-11-2016]
алёша про Flashnote 4.7 [25-11-2016]
Я в восторге! У меня зрение -7 диоптрий,настройка шрифтов для меня ГЛАВНОЕ,ну и порадовала простота.И ещё,скачал обе версии(портабельную на диск Д) и теперь имею два менеджера заметок
2 | 2 | Ответить
Источник
flash note
1 flash note
См. также в других словарях:
Flash Flash Revolution — est un simulateur web imitant le jeu Dance Dance Revolution, un jeu vidéo créé par Konami. Sommaire 1 Flash Flash Revolution R1 1.1 Description du jeu 1.2 Jouabilité … Wikipédia en Français
Flash evaporation — Flash (or partial) evaporation is the partial vaporization that occurs when a saturated liquid stream undergoes a reduction in pressure by passing through a throttling valve or other throttling device. This process is one of the simplest unit… … Wikipedia
Flash suppression — is a phenomenon of visual perception in which an image presented to one eye is suppressed by a flash of another image presented to the other eye. To observe flash suppression, a small image is first presented to one eye for about a second while a … Wikipedia
flash mob — (FLASH mawb) n. A large group of people who gather in a usually predetermined location, perform some brief action, and then quickly disperse. v., adj. flash mobber n. flash mobbing pp. Example Citation: The Internet has spawned a gaggle of new… … New words
Flash protection — is a term used in the design and specification of protective suits, particularly in bomb disposal. Note is often made in specifications of Hazmat or NBC suits etc of whether they are flash protective , meaning they are protective of the wearer… … Wikipedia
Flash (DC comics) — Pour les articles homonymes, voir Flash. Flash Personnage de fiction apparaissant dans Flash … Wikipédia en Français
Flash-Ball — Lanceur de balle de défense Un lanceur de balle de défense (LBD), plus connu sous le nom de marque Flash Ball, est, selon la terminologie de l administration française, une « arme sublétale » utilisant un projectile conçu pour se… … Wikipédia en Français
Flash-ball — Lanceur de balle de défense Un lanceur de balle de défense (LBD), plus connu sous le nom de marque Flash Ball, est, selon la terminologie de l administration française, une « arme sublétale » utilisant un projectile conçu pour se… … Wikipédia en Français
Flash Ball — Lanceur de balle de défense Un lanceur de balle de défense (LBD), plus connu sous le nom de marque Flash Ball, est, selon la terminologie de l administration française, une « arme sublétale » utilisant un projectile conçu pour se… … Wikipédia en Français
Flash ball — Lanceur de balle de défense Un lanceur de balle de défense (LBD), plus connu sous le nom de marque Flash Ball, est, selon la terminologie de l administration française, une « arme sublétale » utilisant un projectile conçu pour se… … Wikipédia en Français
Flash (Barry Allen) — Superherobox| caption=The Silver Age Flash, Barry Allen. Art by Barry Kitson. character name=Flash publisher=DC Comics debut= Showcase #4 (Oct. 1956) creators=Robert Kanigher John Broome Carmine Infantino alter ego = Bartholomew Henry Barry Allen … Wikipedia
Источник
Технологии флэш-памяти
Современному человеку нравится быть мобильным и иметь при себе различные высокотехнологичные гаджеты (англ. gadget — устройство), облегчающие жизнь, да что там скрывать, делающие ее более насыщенной и интересной. И появились-то они всего за 10-15 лет! Миниатюрные, легкие, удобные, цифровые… Всего этого гаджеты достигли благодаря новым микропроцессорным технологиям, но все же больший вклад был сделан одной замечательной технологией хранения данных, о которой сегодня мы и будем говорить. Итак, флэш-память.
Бытует мнение, что название FLASH применительно к типу памяти переводится как «вспышка». На самом деле это не совсем так. Одна из версий его появления говорит о том, что впервые в 1989-90 году компания Toshiba употребила слово Flash в контексте «быстрый, мгновенный» при описании своих новых микросхем. Вообще, изобретателем считается Intel, представившая в 1988 году флэш-память с архитектурой NOR. Годом позже Toshiba разработала архитектуру NAND, которая и сегодня используется наряду с той же NOR в микросхемах флэш. Собственно, сейчас можно сказать, что это два различных вида памяти, имеющие в чем-то схожую технологию производства. В этой статье мы попытаемся понять их устройство, принцип работы, а также рассмотрим различные варианты практического использования.
Поскольку память с такой организацией считается первой представительницей семейства Flash, с нее и начнем. Схема логического элемента, собственно давшего ей название (NOR — Not OR — в булевой математике обозначает отрицание «ИЛИ»), приведена на рисунке.
С помощью нее осуществляется преобразование входных напряжений в выходные, соответствующие «0» и «1». Они необходимы, потому что для чтения/записи данных в ячейке памяти используются различные напряжения. Схема ячейки приведена на рисунке ниже.
Она характерна для большинства флэш-чипов и представляет из себя транзистор с двумя изолированными затворами: управляющим (control) и плавающим (floating). Важной особенностью последнего является способность удерживать электроны, то есть заряд. Также в ячейке имеются так называемые «сток» и «исток». При программировании между ними, вследствие воздействия положительного поля на управляющем затворе, создается канал — поток электронов. Некоторые из электронов, благодаря наличию большей энергии, преодолевают слой изолятора и попадают на плавающий затвор. На нем они могут храниться в течение нескольких лет. Определенный диапазон количества электронов (заряда) на плавающем затворе соответствует логической единице, а все, что больше его, — нулю. При чтении эти состояния распознаются путем измерения порогового напряжения транзистора. Для стирания информации на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток. В технологиях различных производителей этот принцип работы может отличаться по способу подачи тока и чтению данных из ячейки. Хочу также обратить ваше внимание на то, что в структуре флэш-памяти для хранения 1 бита информации задействуется только один элемент (транзистор), в то время как в энергозависимых типах памяти для этого требуется несколько транзисторов и конденсатор. Это позволяет существенно уменьшить размеры выпускаемых микросхем, упростить технологический процесс, а, следовательно, и снизить себестоимость. Но и один бит далеко не предел: Intel уже выпускает память StrataFlash, каждая ячейка которой может хранить по 2 бита информации. Кроме того, существуют пробные образцы, с 4-х и даже 9-битными ячейками! В такой памяти используются технология многоуровневых ячеек. Они имеют обычную структуру, а отличие заключается в том, что заряд их делится на несколько уровней, каждому из которых в соответствие ставится определенная комбинация бит. Теоретически прочитать/записать можно и более 4-х бит, однако, на практике возникают проблемы с устранением шумов и с постепенной утечкой электронов при продолжительном хранении. Вообще, у существующих сегодня микросхем памяти для ячеек характерно время хранения информации, измеряемое годами и число циклов чтения/записи — от 100 тысяч до нескольких миллионов. Из недостатков, в частности, у флэш-памяти с архитектурой NOR стоит отметить плохую масштабируемость: нельзя уменьшать площадь чипов путем уменьшения размеров транзисторов. Эта ситуация связана со способом организации матрицы ячеек: в NOR архитектуре к каждому транзистору надо подвести индивидуальный контакт. Гораздо лучше в этом плане обстоят дела у флэш-памяти с архитектурой NAND.
NAND — Not AND — в той же булевой математике обозначает отрицание «И». Отличается такая память от предыдущей разве что логической схемой.
Устройство и принцип работы ячеек у нее такой же, как и у NOR. Хотя, кроме логики, все-таки есть еще одно важное отличие — архитектура размещения ячеек и их контактов. В отличие от вышеописанного случая, здесь имеется контактная матрица, в пересечениях строк и столбцов которой располагаются транзисторы. Это сравнимо с пассивной матрицей в дисплеях 🙂 (а NOR — с активной TFT). В случае с памятью такая организация несколько лучше — площадь микросхемы можно значительно уменьшить за счет размеров ячеек. Недостатки (куда уж без них) заключаются в более низкой по сравнению с NOR скорости работы в операциях побайтового произвольного доступа.
Существуют еще и такие архитектуры как: DiNOR (Mitsubishi), superAND (Hitachi) и пр. Принципиально нового ничего они не представляют, а лишь комбинируют лучшие свойства NAND и NOR.
И все же, как бы там ни было, NOR и NAND на сегодняшний день выпускаются на равных и практически не конкурируют между собой, потому как в силу своих качеств находят применение в разных областях хранения данных. Об этом и пойдет далее речь…
Где нужна память…
Сфера применения какого-либо типа флэш-памяти зависит в первую очередь от его скоростных показателей и надежности хранения информации. Адресное пространство NOR-памяти позволяет работать с отдельными байтами или словами (2 байта). В NAND ячейки группируются в небольшие блоки (по аналогии с кластером жесткого диска). Из этого следует, что при последовательном чтении и записи преимущество по скорости будет у NAND. Однако с другой стороны NAND значительно проигрывает в операциях с произвольным доступом и не позволяет напрямую работать с байтами информации. К примеру, для изменения одного байта требуется:
- считать в буфер блок информации, в котором он находится
- в буфере изменить нужный байт
- записать блок с измененным байтом обратно
Если еще ко времени выполнения перечисленных операций прибавить задержки на выборку блока и на доступ, то получим отнюдь неконкурентоспособные с NOR показатели (отмечу, что именно для случая побайтовой записи). Другое дело последовательная запись/чтение — здесь NAND наоборот показывает значительно более высокие скоростные характеристики. Поэтому, а также из-за возможностей увеличения объема памяти без увеличения размеров микросхемы, NAND-флэш нашел применение в качестве хранителя больших объемов информации и для ее переноса. Наиболее распространенные сейчас устройства, основанные на этом типе памяти, это флэшдрайвы и карты памяти. Что касается NOR-флэша, то чипы с такой организацией используются в качестве хранителей программного кода (BIOS, RAM карманных компьютеров, мобилок и т. п.), иногда реализовываются в виде интегрированных решений (ОЗУ, ПЗУ и процессор на одной мини-плате, а то и в одном чипе). Удачный пример такого использования — проект Gumstix: одноплатный компьютер размером с пластинку жвачки. Именно NOR-чипы обеспечивают требуемый для таких случаев уровень надежности хранения информации и более гибкие возможности по работе с ней. Объем NOR-флэш обычно измеряется единицами мегабайт и редко переваливает за десятки.
И будет флэш…
Безусловно, флэш — перспективная технология. Однако, несмотря на высокие темпы роста объемов производства, устройства хранения данных, основанные на ней, еще достаточно дороги, чтобы конкурировать с жесткими дисками для настольных систем или ноутбуков. В основном, сейчас сфера господства флэш-памяти ограничивается мобильными устройствами. Как вы понимаете, этот сегмент информационных технологий не так уж и мал. Кроме того, со слов производителей, на нем экспансия флэш не остановится. Итак, какие же основные тенденции развития имеют место в этой области.
Во-первых, как уже упоминалось выше, большое внимание уделяется интегрированным решениям. Причем проекты вроде Gumstix лишь промежуточные этапы на пути к реализации всех функций в одной микросхеме.
Пока что, так называемые on-chip (single-chip) системы представляют собой комбинации в одном чипе флэш-памяти с контроллером, процессором, SDRAM или же со специальным ПО. Так, например, Intel StrataFlash в сочетании с ПО Persistent Storage Manager (PSM) дает возможность использовать объем памяти одновременно как для хранения данных, так и для выполнения программного кода. PSM по сути дела является файловой системой, поддерживающейся ОС Windows CE 2.1 и выше. Все это направлено на снижение количества компонентов и уменьшение габаритов мобильных устройств с увеличением их функциональности и производительности. Не менее интересна и актуальна разработка компании Renesas — флэш-память типа superAND с встроенными функциями управления. До этого момента они реализовывались отдельно в контроллере, а теперь интегрированы прямо в чип. Это функции контроля бэд-секторов, коррекции ошибок (ECC — error check and correct), равномерности износа ячеек (wear leveling). Поскольку в тех или иных вариациях они присутствуют в большинстве других брендовых прошивок внешних контроллеров, давайте вкратце их рассмотрим. Начнем с бэд-секторов. Да, во флэш-памяти они тоже встречаются: уже с конвейера сходят чипы, имеющие в среднем до 2% нерабочих ячеек — это обычная технологическая норма. Но со временем их количество может увеличиваться (окружающую среду в этом винить особо не стоит — электромагнитное, физическое (тряска и т. п.) влияние флэш-чипу не страшно). Поэтому, как и в жестких дисках, во флэш-памяти предусмотрен резервный объем. Если появляется плохой сектор, функция контроля подменяет его адрес в таблице размещения файлов адресом сектора из резервной области.
 |
 |
Собственно, выявлением бэдов занимается алгоритм ECC — он сравнивает записываемую информацию с реально записанной. Также в связи с ограниченным ресурсом ячеек (порядка нескольких миллионов циклов чтения/записи для каждой) важно наличие функции учета равномерности износа. Приведу такой редкий, но встречающийся случай: брелок с 32 Мбайт, из которых 30 Мбайт заняты, а на свободное место постоянно что-то записывается и удаляется. Получается, что одни ячейки простаивают, а другие интенсивно исчерпывают свой ресурс. Чтобы такого не было, в фирменных устройствах свободное пространство условно разбивается на участки, для каждого из которых осуществляется контроль и учет количества операций записи.
Еще более сложные конфигурации класса «все-в-одном» сейчас широко представлены такими компаниями как, например, Intel, Samsung, Hitachi и др. Их изделия представляют собой многофункциональные устройства, реализованные в одной лишь микросхеме (стандартно в ней имеется процессор, флэш-память и SDRAM). Ориентированы они на применение в мобильных устройствах, где важна высокая производительность при минимальных размерах и низком энергопотреблении. К таким относятся: PDA, смартфоны, телефоны для сетей 3G. Приведу пример подобных разработок — чип от Samsung, объединяющий в себе ARM-процессор (203 МГц), 256 Мбайт NAND памяти и 256 SDRAM. Он совместим с распространенными ОС: Windows CE, Palm OS, Symbian, Linux и имеет поддержку USB. Таким образом на его основе возможно создание многофункциональных мобильных устройств с низким энергопотреблением, способных работать с видео, звуком, голосом и прочими ресурсоемкими приложениями.
Другим направлением совершенствования флэш является уменьшение энергопотребления и размеров с одновременным увеличением объема и быстродействия памяти. В большей степени это касается микросхем с NOR архитектурой, поскольку с развитием мобильных компьютеров, поддерживающих работу в беспроводных сетях, именно NOR-флэш, благодаря небольшим размерам и малому энергопотреблению, станет универсальным решением для хранения и выполнения программного кода. В скором времени в серийное производство будут запущены 512 Мбит чипы NOR той же Renesas. Напряжение питания их составит 3,3 В (напомню, хранить информацию они могут и без подачи тока), а скорость в операциях записи — 4 Мбайт/сек. В то же время Intel уже представляет свою разработку StrataFlash Wireless Memory System (LV18/LV30) — универсальную систему флэш-памяти для беспроводных технологий. Объем ее памяти может достигать 1 Гбит, а рабочее напряжение равно 1.8 В. Технология изготовления чипов — 0,13 нм, в планах переход на 0,09 нм техпроцесс. Среди инноваций данной компании также стоит отметить организацию пакетного режима работы с NOR-памятью. Он позволяет считывать информацию не по одному байту, а блоками — по 16 байт: с использованием 66 МГц шины данных скорость обмена информацией с процессором достигает 92 Мбит/с!
Что ж, как видите, технология развивается стремительно. Вполне возможно, что к моменту выхода статьи появится еще что-нибудь новенькое. Так что, если что — не взыщите 🙂 Надеюсь, материал был вам интересен.
Источник